最近网传国产内存的几张图片，让人大呼原来国产内存早已问世！通过标签上隐约可见的信息可知，这是一条DDR3 12800（1600Mhz）内存条，容量4GB，时序11-11-11。电脑报作为传统媒体竟然把这条12800规格的内存误认成DDR4，这就比较让人遗憾了。
国产内存
上图中这条内存标签上的UniIC正是指的西安紫光国芯半导体有限公司，它的前身是原德国内存企业奇梦达在2009年破产后被浪潮公司以3000万“抄底”收购的中国存储事业部门。
国产内存竟然使用8年前的奇梦达技术，这也就不难解释为何16年就问世的国产内存条到现在依然没有产生轰动效应：奇梦达倒闭于2009年，当时DDR3方兴未艾，DDR4则尚未有标准制定。通过查询紫光国芯的官网也能发现，当前量产的产品只有DDR3内存，最大容量16GB，最高频率1600Mhz。
DDR3问世至今已有10年之久，留给它的时间已经不多了。当前AMD锐龙和Intel第八代酷睿平台均已不再支持DDR3内存。而旧电脑升级的需求在内存价格大涨的时期显得并不强烈，DDR3虽然有市场，但也大多是面向集成产品当中，例如固态硬盘的缓存、工控电路的内存等，由于制程落后，对能耗要求较高的IOT市场恐难有立足之地。
曾经靠低廉的价格大红大紫的台湾南亚内存条，如今只能在固态硬盘当中见到内存颗粒的身影。国产内存能顺利研发出DDR4吗？能赶上三星、SK Hynix和美光正在进行的制程大战节奏吗？
内存已经有成品了，虽说竞争力尚有欠缺，但好过依然停留在计划上的闪存。根据长江存储公开的计划，厂房设备安装将在2018年第一季度完工，2019年进入量产，预计2020年技术赶超国际领先的闪存公司，堪称一步登天式路线图。
先不说国产内存先期目标只是32层堆叠3D制程，来看看当前闪存原厂的进度，就知道赶超绝不是嘴上说说那么简单。如果进展顺利，2019年国产闪存能够量产的时候，正好赶上竞争对手们成熟的96层堆叠3D闪存。
甚至还会碰上东芝新开发的3D QLC闪存，存储容量相比现在的3D TLC再度翻倍。
QLC有多难？难度不亚于当年MLC向TLC的过渡。在相同的电压范围内，QLC需要表达的数据量是MLC的4倍，些许差别就能导致数据错误的发生。但是困难的背后是更大的机遇，单个MLC小芯片的容量最高128Gb，对于3D TLC来说这个数字是256Gb到512Gb，而QLC的单个小芯片容量将从768Gb起步，一颗闪存颗粒达成1.5TB容量不要太轻松！
闪存制造出来还远不是终点，因为只有与它匹配的主控，研发出拥有足够强大纠错算法的固件，才能既保证容量，又保障寿命。东芝的QLC闪存写入寿命将达到2D平面MLC闪存的1.5倍。
国产内存条
不要说国产技术旧不要紧，性能差点无所畏的话了，还记得迈拓硬盘吗？曾经的国产机械硬盘，比当时的希捷西数是要便宜一些，但随着垂直磁记录时代的到来，在竞争对手们容量飙升的时候，自己的成本压不下去，无奈被时代所淘汰。
