高通今天在北京召开发布会，自家旗下的旗舰骁龙835移动平台正式在亚洲首秀，作为首款采用10纳米FinFET制程工艺实现商用制造的移动平台，骁龙835实现了愈加强大的整体性能与能效表现，将为下一代旗舰智能手机及更多移动智能终端带来先进特性与非凡的用户体验。
这颗采用三星10纳米制程工艺的芯片，将使搭载该芯片的智能设备拥有更低的功耗与更高的性能。此外，相比前代骁龙820和821，835拥有更小裸片和封装尺寸，可进一步扩大手机主板的空间，手机也可以设计的更纤薄，电池容量更大。据了解，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。
以下为官方中文规格表：
工艺尺寸：骁龙835采用10nm FinFET制程，三星代工，尺寸减小35%，功耗降低25%。
CPU：采用八核Kryo 280自研核心，主频最高2.45GHz（早先资料称，小核是1.9GHz，待官方确认），这比骁龙821的2.35GHz提升了4%（小核提升了18%），最终性能提升20%。
GPU：Adreno 540，图形速度提升25%，色彩提升60倍。支持4K屏（60FPS）、10位色深、支持DP、HDMI和USB-C视频流传输。
基带：X16调制解调器，全球首款千兆LTE基带，4载波聚合、7模全网通。
充电：QC4.0技术，15分钟可充50%的电，速度提升20%。
内存：LPDDR4X双通道、UFS 2.1、SD3.0（UHS-1）
连接性：802.11ad（60GHz）、802.11ac（2x2 MU-MIMO）、蓝牙5.0
定位：支持GPS、格洛纳斯、北斗、伽利略
ISP：高通Spectra 180，双14位ISP、最高支持双1600万/单3200万镜头，可录制HDR视频。
DSP：Hexagon 682，集成向量扩展，支持TensorFlow和Halide
视频：最高4K 30FPS拍摄、4K 60FPS播放，可解码H.264/265/VP9。
音频：Aqstic音频编解码器，支持原生DSD、123dB高信噪比。
