通过6款240-250GBTLCSSD的性能横向对比，我们了解到TLCSSD的三大性能关键参数。
1、读写速度（单位MB/秒）
读写速度
这是最为关键的性能参数，6款240-250GBTLCSSD的读取速度均在500MB/秒以上，写入速度最低在400MB/秒以上，整体和中高端MLCSSD看齐。
2、读写IOPS（I/O接口每秒进行读写操作的次数）
读写IOPS值
6款240-250GBTLCSSD当中，三星850EVO、闪迪至尊高速II的表现可与中高端MLCSSD媲美。剩下四款240-250GBTLCSSD的性能可算做在同一性能区间，和入门级MLCSSD相比，毫不逊色。
3、PCMark8硬盘应用分数
PCMark8硬盘得分
三星850EVO、金泰克T-ONE、闪迪至尊高速II的得分在4920分以上，属于中高端MLCSSD的表现。另外3款240-250GBTLCSSD属于入门级MLCSSD的得分级别。
TLCSSD虽然定位入门级产品，不过TLCSSD的整体读写速度较为优秀，大部分TLCSSD的读写IOPS值、PCMark8硬盘应用得分，和入门级MLCSSD不相伯仲，个别TLCSSD的性能表现优于入门级MLCSSD。
那么TLCSSD的高性能是如何做到的？细心的网友是否发现，市面的TLCSSD均未达到256GB的满容量，即使三星850EVO，也只有250GB，其他基本为240GB。而入门级MLCSSD不少为256GB。
这是因为SSD厂家用了多种手段来提升TLCSSD的性能和使用寿命。其中包括①TLC闪存虚拟SLC闪存工作模式、②设置OP冗余缓存。
并且TLCSSD的独立缓存和闪存的比例至少为1:1，这也在一定程度提高SSD的性能。SSD厂家还通过改进主控、算法，借助增加ECC校验、优化主控读写等方式改善可靠性。正是SSD厂家多管齐下，在一定程度上牺牲闪存容量，提高了TLCSSD的性能和使用寿命，并且240-250GBTLCSSD是未来的主推容量，因为它比120GBTLCSSD拥有更长的使用寿命。
