通过6款240-250GBTLCSSD的性能横向对比,我们了解到TLCSSD的三大性能关键参数。
1、读写速度(单位MB/秒)
读写速度
这是最为关键的性能参数,6款240-250GBTLCSSD的读取速度均在500MB/秒以上,写入速度最低在400MB/秒以上,整体和中高端MLCSSD看齐。
2、读写IOPS(I/O接口每秒进行读写操作的次数)
读写IOPS值
6款240-250GBTLCSSD当中,三星850EVO、闪迪至尊高速II的表现可与中高端MLCSSD媲美。剩下四款240-250GBTLCSSD的性能可算做在同一性能区间,和入门级MLCSSD相比,毫不逊色。
3、PCMark8硬盘应用分数
PCMark8硬盘得分
三星850EVO、金泰克T-ONE、闪迪至尊高速II的得分在4920分以上,属于中高端MLCSSD的表现。另外3款240-250GBTLCSSD属于入门级MLCSSD的得分级别。
TLCSSD虽然定位入门级产品,不过TLCSSD的整体读写速度较为优秀,大部分TLCSSD的读写IOPS值、PCMark8硬盘应用得分,和入门级MLCSSD不相伯仲,个别TLCSSD的性能表现优于入门级MLCSSD。
那么TLCSSD的高性能是如何做到的?细心的网友是否发现,市面的TLCSSD均未达到256GB的满容量,即使三星850EVO,也只有250GB,其他基本为240GB。而入门级MLCSSD不少为256GB。
这是因为SSD厂家用了多种手段来提升TLCSSD的性能和使用寿命。其中包括①TLC闪存虚拟SLC闪存工作模式、②设置OP冗余缓存。
并且TLCSSD的独立缓存和闪存的比例至少为1:1,这也在一定程度提高SSD的性能。SSD厂家还通过改进主控、算法,借助增加ECC校验、优化主控读写等方式改善可靠性。正是SSD厂家多管齐下,在一定程度上牺牲闪存容量,提高了TLCSSD的性能和使用寿命,并且240-250GBTLCSSD是未来的主推容量,因为它比120GBTLCSSD拥有更长的使用寿命。