近些年，台积电在芯片制造业风生水起，7nm、5nm接了业内众多巨头的订单，财报方面也是收获颇丰。
而近日，三星首次展示了3nm的制造工艺，并且将其公布于世，这是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片，而三星方面也分享了半导体产业的路线图，10nm后紧接着就是7nm和3nm，其余全是升级改善型的工艺，比如人们所熟知的5nm。
三星将在3nm工艺上第一次应用环绕栅极场效应晶体管技术，相对木目前的立体晶体管有着结构性的突破，再次实现了晶体管结构的突破。
三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面积56平方毫米，目前三星方面称，该芯片可以在明年量产，性能相比上一代有着30%的提升，而且功耗最多可降低50%。
