Flash记忆体加工尺寸正越来越小，容量越来越高，耗电量越来越低，但与CPU类似，到达某个尺寸后它也会迎来瓶颈，优势将变成劣势。现在市场上已有基于25nm或20nm制造工艺的SSD，东芝在上个月宣布了基于19nm制造工艺的SSD生产线。目前估计Flash记忆体制造尺寸最小为8nm，可能要到20年代后期才可能出现。
加州圣迭戈和微软研究人员的一篇论文假设NAND浮置栅极晶体管可用6.5nm制造工艺生产，那么一块SLC（单层存储单元）Flash芯片容量能超过500 GB，而TCL(三层存储单元)Flash芯片容量能达到1700 GB——一个SSD能采用最多数百个Flash芯片，即它的容量可达到数百TB。
但不幸的是，6.5nm Flash芯片的读写延迟会显著增加，而低读写延迟是SSD相对于机械硬盘的主要优势。
