性能提升关键字一：三星14nm FinFET LPP工艺
相信很多关注手机性能的网友们都对神马三星、台积电、FinFET等词语谙熟于心，也能随口说出一些关于三星最新工艺和台积电最新工艺之间的优略。而提到骁龙820的性能，我们首先就要提到此次骁龙820选用的三星14nm FinFET工艺。简单来说更先进的工艺能够提升单位面积下晶体管数量，提升晶体管性能，提升整体芯片性能。同时通过更先进的制程工艺也能够达到降低漏电率降低功耗减少发热的效果。总体而言更先进的制程能在相同的功耗下达到更高的性能，在相同的性能下有着更好的功耗表现。对于绝大部分消费者来讲，认识到这一点就已经足够了。但相信也有一部分网友对此次Qualcomm采用14nm FinFET LPP工艺有着诸如：为何不用台积电16nm FinFET+?三星14nm听说效果没有台积电好?LPP是个神马东西?等等的疑问，笔者在这里也给大家进行一个简单的解读。
首先，我们先来看看LPP究竟是什么?迄今为止，三星已经在14nm FinFET工艺上演进了两代工艺。分为14nm FinFET LPE(Low Power Early版本，代表作为三星Exynos 7420、Exynos 7422、苹果A9等芯片)、14nm FinFET LPP(Low Power Plus版本，Qualcomm骁龙820为该工艺的首发芯片)。三星官方给出的数据是14nm FinFET LPE工艺相较于上一代28nm工艺性能提升40%，封装面积降低50%，功耗降低60%。 而LPP官方并没有给出太多详细的数据，仅表示相比LPE晶体管性能又有10%的提升，并且相应的功耗也有进一步下降。即将要推出的三星Exynos 8890不出所料也将采用LPP版本的14nm FinFET工艺，从三星将首发芯片让给Qualcomm骁龙820来看，LPP版本的良品率和产能应该不存在太大问题了。还有一点值得我们注意，14nm可以算是半导体产业的一个“大年”，也就是说在未来两年甚至更长一段时间内，14nm制程工艺将会主导高端半导体芯片产业，有消息称三星也将在明年晚些时候推出14nm FinFET的更新版本LPH等以适应下一代旗舰SoC芯片的需求。同时台积电也将在16nm FinFET Plus工艺上进行深入演进。
虽然三星、台积电近两年在半导体工艺制程方面基本处于“齐头并进”的局面，甚至开始逐渐威胁到Intel的霸主地位，由于所推出的产品不同，很难将三星、台积电最新工艺做一个严谨的对比。但今年苹果A9处理器给了我们这样一个机会，A9处理器采用了两家最新工艺同时供货，有网友测试认为台积电版本的A9处理器要比三星版本的A9处理器更加省电。三星和台积电官方并没有就这一情况给出相应的说明。但笔者猜测原因在于：
1.FinFET工艺相比传统工艺复杂度大大提升，设计规则增多30%左右，并且还要克服离子污染带来的硅纯度不稳定和金属互联的不确定威胁。同时也需要厂商在28nm、20nm制程工艺上有很好的积淀。
2.我们知道台积电在16nm FinFET+之前也拥有一个早期版本，也就是说现有台积电16nm FinFET+工艺和三星14nm FinFET LPP工艺属于同一代产品，而台积电早期16nm FinFET版本鲜有产品推出并不被我们所熟知。从这一点上来看，如果苹果A9处理器能够更新采用三星14nm FinFET LPP工艺相信性能和功耗将有所改进。所以我们也并不需要过于担心三星工艺、台积电工艺的差别。两者之前的确存在很多差异化的指标，但最终呈献给我们消费者的表现应该是大致相同的。
