高通日前宣布新一代旗舰处理器命名为骁龙835，但对于具体规格所言甚少，只是说会采用三星10nm FinFET工艺制造，目前已投产，终端产品将在2017年上半年问世。
根据微博用户@草包科技 给出的最新情报，骁龙835的编号为MSM8998(骁龙820/821 MSM8996/MSM8996 Pro)，将会采用升级版64位自主架构Kyro 200，并且是四大、四小的八核设计，但具体频率不详。
集成GPU核心升级为Adreno 540，基带则是LTE X16，最高支持LTE Cat.16，理论下载速度高达1Gbps，上传也有150Mbps。
另外，骁龙835还会支持四通道LPDDR4X-1866内存(联发科Helio P20首发)、UFS 2.1存储(麒麟960首发/骁龙660也会用)。
骁龙835将在2017年第一季度量产，首发的是三星新旗舰Galaxy S8，明年二月底的MWC 2017大会前发布，而国产机型将在明年年中跟进。
