五，性能评测
如果要问Galaxy S6上最大的亮点是什么，唯一的答案就只能是Exynos 7420这颗处理器。Exynos 7420依然采用的Cortex-A53和Cortex-A57的八核混合架构，这到没什么稀奇。但关键就在于三星制造Exynos 7420用到了自家乃至业界最先进的14nm FinFET制造工艺。横向对比一下，苹果最新的A8处理器和高通最新的骁龙810都采用的是20nm工艺，而三星的14nm FinFET整整领先它们一个级别。
我们都清楚工艺制程的数值越小，就代表晶体管之间的距离也越小，相对的能耗就越低，性能也越强。只是晶体管之间的距离小到一定程度之后，就会发生“漏电（Leakage）”现象，而FinFET（鳍式场效晶体管）技术就是专为解决这类问题而生。这种工艺能够改善电流控制并减少漏电流（Leakage）现象，从而使得芯片制程工艺数值得以再次下探。目前市售半导体处理器的最高工艺制程也就只到14nm而已，所以Exynos 7420也可算是工艺最先进的处理器之一了。接下来我们就跑个分测试看看。
安兔兔的测试总成绩是70366分，这个分数完全超出了我们预想的范围，也同样超出其他安卓机型一大截。虽然也可能是Antutu本身的问题，但也间接说明了Exynos 7420的厉害之处。与搭载高通骁龙801的HTC One M8对比，Exynos 7420除了在单线程浮点与2D绘图方面小输之外，其余是全面碾压。尤其在RAM速度一项上，Galaxy S6是HTC One M8分数的2.3倍，相信这也和Galaxy S6采用了LPDDR4内存有关。
而在跨平台跑分软件GeekBench3上，Galaxy S6也拿到了单核1330分，多核4758分。那iPhone 6跑了多少分呢？结果是单核1633分，多核2923分。虽然Galaxy S6在单核性能上不及iPhone 6，但也是安卓阵营中最高的了。
除了强大的14nm工艺与LPDDR4内存之外，三星还给Galaxy S6中引入了UFS嵌入式存储技术，简单来讲就是ROM的读取速度更快。快到什么地步呢？据官方数据显示UFS嵌入式储存相比普通的eMMC 5.0要快上2.7倍左右。所以这一次Galaxy S6的硬件说是安卓阵营最强也是毫不为过了。
评测总结：
综上所述，三星Galaxy S6是一部名副其实的旗舰手机，它集合了三星目前最高端的软硬件技术，将最给力的大招放出来了。拥有三星自家Exynos八核心处理器，3GB LPDDR4闪存，5.1英寸Super AMOLED节能2K屏幕，玻璃与金属相映成辉的设计，这些均符合旗舰安卓手机的定位。依托三星Galaxy S6手机的影响力，三星正以触底反弹的态势争取手机市场份额的扩大化。
